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Metadados

Tipo da ReferênciaReport
Identificador8JMKD3MGP3W34P/3LJEPR5
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21b/2016/04.26.17.20
Metadadossid.inpe.br/mtc-m21b/2016/04.26.17.20.03
Sitemtc-m21b.sid.inpe.br
Número do RelatórioINPE-1942-RPE/261
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Chave de CitaçãoFabbriLimaSilv:1980:ExSpHe
Autor1 Fabbri, M.
2 Lima, I. C. da Cunha
3 Silva, A. Ferreira da
TítuloExtrinsic specific heat of phosphorus doped silicon
Ano1980
InstituçãoInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais
CidadeSão José dos Campos
Palavras-ChaveImpurity, disorder, correlation, specific heat.
ResumoThe theory of Matsubara and Toyozawa developed for impurity bands in semiconductors is investigated further in order to calculate the specific heat of Si:P. The effect of correlation as well as overlap on the electron hopping energy integral is taken into account via Heitler-London two-particle wave functions. The calculated specific heat shows good agreement when compared to the experimental data over a wide range of impurity concentration around the criticai value for MNM transition. The comparison between MT and AMO-MT calculations shows a big enhancement due to electron correlation. The results of the highly-correlated-electron-gas model and inhomogeneity model are shown for the sake of comparion.
Idiomaen
DivulgaçãoBNDEPOSITOLEGAL
AreaFISPLASMA
Tamanho473 KiB
Número de Arquivos3
Última Atualização2020:01.21.11.31.32 sid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.20 sergio
Última Atualização dos Metadados2020:01.21.11.33.36 sid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.20 sergio {D 1980}
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Espelhosid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.22
e-Mail (login)sergio
Grupo de Usuáriosadministrator
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Detentor da CópiaSID/SCD
Visibilidadeshown
Transferível1
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.20
Estágio do Documentonot transferred
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Data de Acesso17 fev. 2020
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